新思科技与Socionext扩大合作，将5nm工艺HBM2E IP部署于AI和高性能计算SoC

加利福尼亚山景城和日本横滨2021年1月13日  /美通社/ -- 新思科技（Synopsys, Inc., 纳斯达克股票代码：SNPS）和Socionext（索喜科技）今日宣布扩展双方合作，基于新思科技的DesignWare^® IP组合，Socionext还将使用新思科技的HBM2E IP，以在人工智能和高性能计算（HPC）)应用中实现最大的内存吞吐量。新思科技的HBM2E IP运行速度为3.6Gbps，能够满足Socionext创新AI引擎和加速器片上系统（SoC）对于容量、功耗和计算性能的严苛要求。新思科技的IP提供了高效的异构集成和最短的2.5D中介层封装连接。

Socionext汽车与工业业务集团副总裁Yutaka Hayashi表示：“作为SoC解决方案领域的全球领导者，我们所提供的产品具有差异化功能，因此也面临着非常紧迫的交付期限。利用新思科技的DesignWare HBM2E IP和集成的全系统多裸晶片设计平台，Socionext得以向市场提供世界级高性能、高容量和低能耗的5nm FinFET工艺SoC。我们还将与新思科技开展合作，部署其下一代DesignWare IP解决方案，如HBM3。”

DesignWare HBM2E PHY IP可提供每秒460 GB的聚合带宽，能够满足先进FinFET工艺SoC对海量计算性能的要求。HBM2E IP是新思科技全面内存接口IP解决方案的一部分，该解决方案包括DDR5/4/3/2和LPDDR5/4/4X/3/2 IP，已在数百个设计中得到验证，并有数百万颗SoC发货。

新思科技IP营销和战略高级副总裁John Koeter表示：“作为领先的内存接口IP提供商，新思科技为Socionext等诸多创新公司提供极具竞争力的HBM2/2E IP解决方案，协助其应对高级高性能计算SoC对功耗和内存带宽的巨大需求。新思科技的硅验证DesignWare HBM2/2E IP核拥有超过25个投产设计和量产客户，设计者能够放心地将IP集成到他们的SoC中，并更快取得硅片的成功。”

可用资源 

新思科技DesignWare HBM2/2E IP现可广泛用于从16纳米到5纳米的工艺中。更多信息，请访问DesignWare HBM2/2E IP核和3DIC Compiler：适用于封装中端对端多裸晶芯片集成的统一平台网页。