DB HiTek, 超高压（UHV）电力半导体业务正式展开

• 基于具竞争优势的电力半导体技术拓展高附加值、高增长业务
• 将从冰箱等家电扩展至电动汽车、太阳能等应用领域
• 以在2024年内确保全电压区间的工艺技术为目标

韩国首尔2023年10月31日 /美通社/ -- 最近，8英寸晶圆代工厂DB HITEK正在升级超高压（UHV）电力半导体工艺技术，并正式推进相关业务。

超高压电力半导体工艺技术的应用领域广泛，包括家电、汽车、通信、工业等，支持设计和制造用于驱动电机的 Gate Driver IC。Gate Driver IC市场占电力半导体IC市场的8%，预计自2022年至2027年年平均增长率达109%，需求有望大幅增加。

DB HITEK采用了以具竞争优势的电力半导体技术为基础，拓展超高压电力半导体业务，从而提升竞争力的战略。

通过此次工艺技术升级，DB HITEK将创造能够在Gate Driver IC中同时使用Level-Shifter绝缘方式和Galvanic绝缘方式的环境。由此，客户们可以发挥芯片便于设计的Level-Shifter和高压操作稳定性较高的Galvanic绝缘的各自优势，并且该工艺的应用范围也有望从现有的家电领域扩展至汽车、太阳能领域。

今年5月，DB HITEK首度推出了可以应用于系统空调等大功率压缩机，且采用宽电压，便于设计的900V级Level-Shifter。此外，实现了原本安装于芯片外部的Bootstrap Diode内置自主研发了缩小体积的技术，并申请了专利，创造了不同于其他代工厂的Gate Driver IC设计环境。

DB HITEK表示，未来将确保可在矽电半导体中实现的全区间工艺技术， 并提供适用于各领域的最佳Gate Driver设计环境。

具体来说，DB HITEK计划于2024年1月将在Gate Driver IC市场中占最大比重10%的家电领域提供最佳600V工艺，并于年内依次确保用于电动滑板车及电动踏板车的200V工艺和用于纺织机及工规用1200V工艺，提升超高压电力半导体的竞争力。