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三安集成于 2025年10月16日 通过美通社发布新闻稿《三安集成新一代砷化镓射频工艺 加速高频应用商业化》。请注意， 原文最后一段第一句里的“部署砷化镓6寸晶圆产能每月21,000片”表述有误，正确的表述应为：“部署砷化镓6寸晶圆产能每月18,000片”。特此更正，正确的全文如下：

三安集成新一代砷化镓射频工艺 加速高频应用商业化

厦门2025年10月16日 /美通社/ -- 5G-Advance自2023年末在Release-18中被首次引入后，持续牵引行业提升大规模MIMO、超低时延、海量链接等高阶通信能力，为实现2030年的6G商业化规划奠定基础，也驱动了射频前端市场的发展。据Yole测算，射频前端市场将在2030年增长到697亿美元。

演进过程中催生的高性能模组和新频段需求既是市场增长点也是全新的挑战。为减小尺寸、提高系统效率，射频前端模组必须进一步向高集成化发展，而集成化也同时带来稳定性和设计难度的考验；频段不断上探以及不同国家和地区的部署方案差异，也对射频功放的输出效率以及天线调谐提出更苛刻的要求。

射频前端设计公司持续投入研发，在射频架构和模组设计方面尝试攻克上述挑战。三安集成（三安光电子公司）也通过在制造工艺端的迭代，为设计公司提供支持和解决方案。

在射频芯片工艺中，砷化镓射频（GaAs RF）芯片工艺是关键技术之一，主流的工艺路线有HBT（双极型异质结三极管）与pHEMT（赝调高迁移率晶体管）。GaAs HBT以其独特的垂直结构，允许较小的基极电流引导较大的集电极电流，实现优异的放大效率。

三安集成针对客户需求，推出0.4μm Ledge GaAs HBT工艺H10HP56，实现更高的工作频率，使器件在C波段范围内的高功率应用需求，并着重在智能手机、Wi-Fi 7、卫星通信等领域提供优越的放大效率和顽健性。

• H10HP56采用三安集成自研InGaP材料外延，在实现较高电流增益的情况下，减小基极电阻，从而实现较高的工作频率；
• 顺应射频前端模组高集成度趋势，该工艺全面适配铜柱倒装工艺，实现更小的芯片封装面积和散热效率，提升系统的可靠性；

该工艺自2024年底推出，已完成在战略客户项目中的先导量产，预计于第四季度实现大规模量产，此举将显著加速高集成度旗舰级前端模组、卫星通讯、车载无线TGU及无人机等新兴终端应用设备的商业化进程。

三安集成在射频前端芯片代工领域持续投入工艺研发，是极少数具备自主研发外延能力的代工厂，自研外延已覆盖全线工艺，部署砷化镓6寸晶圆产能每月18,000片，根据Morgan Stanley分析数据，2025年上半年，三安阶段出货已来到全球第二位。公司将持续为客户带来有竞争力的代工解决方案，成为全球射频供应链发展的重要合作伙伴。