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M31 亮相 ICCAD 2025:以高性能与低功耗 IP 驱动 AI 芯片新世代

2025-11-21 21:28| 发布者: 美通社| 查看: 990| 评论: 0

新竹2025年11月21日 /美通社/ -- 全球半导体硅知识产权(IP)领先供应商——円星科技(M31 Technology,以下简称 M31),于2025年"成渝集成电路设计业展览会(ICCAD-Expo 2025)"成都站盛大亮相,集中发布多项面向人工智能(AI)与低功耗场景的前沿 IP 解决方案。从 N4 到 N3 节点的 MIPI C/D-PHY RX 高性能接口 IP、N12e 低功耗设计 IP,到最新 N6e 超低功耗(ULL)、极低漏电(eLL)与低电压(Low-VDD)存储器编译器,M31 全方位展示了其在智能计算、汽车电子与移动终端等领域的技术创新能力,持续推动新一代 AI 芯片设计与产业升级。

M31 亮相ICCAD 2025
M31 亮相ICCAD 2025

本届展会以"成渝同芯,同频共振"为主题,聚焦集成电路设计产业的协同创新与生态共建。随着 AI 赋能机器人及智能驾驶系统快速发展,M31 基于 TSMC N3 先进工艺,推出了高性能 MIPI C-PHY v2.1(6.5Gsps)与 D-PHY v3.0(9Gbps)PHY解决方案,助力机器人及自动驾驶系统实现高效环境感知与实时决策,满足高带宽、低延时的图像与传感处理需求,为 AI 系统提供高速可靠的数据传输与精准识别能力。针对车载 ADAS 与高清视频应用,M31 同步推出 N4 MIPI C-PHY v2.0(6.0Gsps)与 D-PHY v2.1(4.5Gbps)方案,支持高质量视频流与数据处理,加速智能驾驶与车载电子系统集成,目前已获得头部电动汽车厂商采用。

为进一步推动 AI 能力向边缘侧延伸,M31 在 TSMC N6e 与 N12e 工艺平台上推出超低功耗(ULL)、极低漏电(eLL)及低电压(Low-VDD)存储器编译器,支持 Always-ON 域操作与宽电压工作范围。基于台积电 N6e 先进制程,该系列存储器编译器专为 AI 边缘计算与物联网(IoT)设备打造,兼具高密度、高性能与超低功耗特性,在显著延长电池续航的同时,保障 AI 推理性能稳定输出。其中,ULL 编译器支持动态电压频率调节(DVFS)与 High Sigma 设计,确保在极端环境下依然可靠运行;eLL 版本在深度休眠模式下功耗可降低达 50%;而 Low-VDD 版本可在低至 0.5V 电压下工作,兼顾性能与能效表现。该完整产品组合为边缘 AI 应用提供了市场稀缺的低功耗 IP 解决方案,充分彰显 M31 在下一代智能 SoC 集成与能效优化领域的创新实力。

本次参展,M31 聚焦 AI、汽车电子与绿色低功耗三大应用方向,集中发布多项高性能 IP 成果,进一步巩固了其在 AI 芯片与汽车电子创新领域的引领地位。值得关注的是,M31 连续第八年荣获台积公司 OIP 年度合作伙伴"特殊制程 IP 奖",展现出全球领先晶圆厂对其技术实力与长期协作的高度认可。

M31 总经理张原熏亲临展会并表示:"M31 与先进晶圆厂长期以来的合作,是我们持续创新的重要基石。我们致力于提供兼顾高性能与低功耗的 IP 解决方案,助力 AIoT、汽车电子、边缘计算等关键领域客户加速芯片设计落地。展望未来,我们期待与中国集成电路设计产业的伙伴深化合作,共同推动 AI 驱动技术的持续发展与产业升级。"


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