| 加州圣荷西和爱达荷州博伊西 2014-02-25(中国商业电讯)－－致力于为混合存储器立方体(HMC)技术开发和制定行业标准接口规范的混合存储器立方体联盟(HMCC)今日宣布：其将继续致力于建立HMC生态环境，并通过制定新的接口规范以支持本行业采用该项突破性技术。HMCC今日还向该联盟的采纳厂商发布了该规范的第一版初稿，该联盟的成员不断在增加，目前已有120多位。该新规范支持提高数据传输速率，使其短距传输
(SR)性能从10 Gb/s、12.5 Gb/s和15 Gb/s提高到30
Gb/s。该新规范还将相关的通道模式从SR迁移至甚短距传输（VSR），以便与现有行业术语保持一致。超短距传输(USR)的定义也将速度性能从10
Gb/s提高至15Gb/s。 HMCC由Micron Technology (纳斯达克股票代码：MU)、Samsung Electronics、和SK hynix等领先存储器供应商所创立，目前已将该规范初稿送至各采纳厂商广泛流传，以期综合各位成员的意见，并计划2014年5月完成终稿。第一代规范并于2013年4月公开发表；一些参与制定和采纳该规范的公司，包括Altera、Xilinx、和Open-Silicon已开始采用该规范设计使用HMC技术的产品和解决方案。 “采用HMC第二代规范，设计师就能从我们的UltraScale FPGA架构中提取出更高的性能”，Xilinx产品组合和解决方案营销副总裁Hugh Durdan说。“我们目前正在发运的UltraScale设备已设计为支持该规范，以便向高带宽用于市场提供风险更低、速度更高的产品”。 “第二代HMC规范使接口的数据传输速率提高一倍，这使得系统设计师能利用下一代20纳米和14纳米FPGA以及SoCs更容易地实现性能的提高”，Altera产品营销高级总监Patrick Dorsey说。“我们很早就开始提供评估板，并演示证明了HMC设备和FPGA之间的互操作性，使客户立即就能开始评估和开发基于HMC的高性能系统”。 该联盟是由一群原始设备供应商、促进商和集成商密切合作的产物，这些厂商共同合作开发和实施关于由Micron开发的高性能存储器解决方案HMC的开放接口标准。开发商成员Micron Technology, Inc.、Samsung Electronics Co., Ltd.、Altera Corporation、ARM、IBM、Microsoft Corporation、Open-Silicon, Inc.、SK hynix, Inc.和Xilinx, Inc.正与采纳厂商直接合作以支持创建HMC的新市场和行业采纳的整体需求。 本行业突破性的HMC采用了先进的硅穿孔(TSV)技术，其通过垂直导管将一组单独的芯片在电气性相连接，以将高性能逻辑电路与动态随机存取存储器(DRAM)模具相结合。Micron正在提供第一款商用HMC产品的样品，该产品密度为2GB，存储带宽达空前的160 GB/s，而每比特能耗比现有技术少70%，这大幅度地降低了客户的总拥有成本。 DRAM的性能改进率和处理器数据消耗率之间的差距不断地增大，而HMC已被行业领袖和有影响人士视为解决该问题期盼已久的答案。HMC的性能代表着其性能、封装和能效等方面远超于当前和近期的存储器架构，与现有的存储器技术有巨大的差别。 欢迎成为HMCC成员 有志于参与HMC规范制定的任何公司均可成为HMCC的采纳商会员。可在www.hybridmemorycube.org上获取关于采用该技术的更多信息、技术支持说明以及其他工具。 关于HMCC 混合存储器立方体联盟(HMCC)由世界半导体行业顶级成员所创立，其宗旨是为混合存储器立方技术制定和建立行业标准接口规范。该联盟成员包括Altera、ARM、IBM、Micron Technology、Microsoft、Open-Silicon、Samsung、SK hynix和Xilinx。欲知关于HMCC的更多信息，请访问www.hybridmemorycube.org。 联系方式： Mary Ellen Ynes Zeno Group for Micron +1.650.801.7954 maryellen.ynes@zenogroup.com John Lucas Samsung Electronics Co., Ltd. +1.408.544.4363 j.lucas@ssi.samsung.com |
